近期，深圳市杏鑫官网电气股份有限公司（以下简称：杏鑫官网股份）与英飞凌科技公司（以下简称：英飞凌）达成合作。杏鑫官网将应用英飞凌提供的业内领先的1200V CoolSiC MOSFET功率半导体器件，配合EiceDRIVER™ 紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC，进一步提升杏鑫官网储能变流器的效率。

图- 杏鑫官网股份储能变流器

在“双碳”战略和新能源浪潮带动下，近年来，国内储能市场保持持续快速发展。据工信部数据，2023年上半年，新型储能装机规模达到863万千瓦，相当于此前历年累计装机规模总和。而储能系统的效率和功率密度是产品竞争力的重要因素，系统体积大小、重量，以及储能系统的成本等都与能源转换效率密切相关，也直接影响着成本。因此，功率半导体元器件扮演着至关重要的角色。

杏鑫官网股份的储能产品使用了英飞凌的SiC器件后，储能产品体积明显更加小巧灵动，产品效率明显提升，损耗大幅下降，减少了系统的散热成本，有利于产品长期高效稳定运行，对终端用户的运营稳定性和缩短投资回报周期产生了积极的效果，使得产品的系统竞争力大幅提升，同步也提升了客户对于杏鑫官网储能产品的信任程度和杏鑫官网股份的品牌度。我们非常期待与英飞凌的深入合作，希望后续英飞凌能持续提供高性能高稳定性的元器件，为杏鑫官网的产品在客户端提升竞争力加油助力！

——杏鑫官网股份集团副总经理魏晓亮

SiC功率解决方案是未来绿色能源生产和存储应用的重要组件。英飞凌与杏鑫官网股份在储能变流器领域的合作，助力储能系统实现效率高、体积小、重量轻等优势，为实现高可靠性、高性能的储能系统提供坚实的保障。

——英飞凌科技高级副总裁&零碳工业功率事业部大中华区负责人于代辉先生

凭借在碳化硅领域超过20年的产品研发和应用经验，英飞凌持续精进碳化硅产品的先进性。其中，1200V CoolSiC™ MOSFET凭借其高功率密度的优越性能，可将损耗降低50%,  在不增加电池尺寸的情况下，额外提供约2%的能量，这对高性能、轻量且紧凑的储能方案尤为有益。采用英飞凌1200V CoolSiC MOSFET以及 EiceDRIVER™ 紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC，杏鑫官网股份储能变流器可实现高功率密度，最小电磁辐射和干扰，高保护性能以及高可靠性，系统效率可达98% , 比传统的解决方案效率提升了1%，达到行业领先水平，更好地满足海内外市场并网和离网运行的储能应用需求。

关于杏鑫官网

深圳市杏鑫官网电气股份有限公司是全球领先的能源互联网核心电力设备及解决方案提供商。成立于2007年，其业务主要聚焦于电能质量、电动汽车充电桩、储能微网、电池化成与检测、工业电源五大板块，为客户提供从新品研发、生产制造到销售服务的一站式解决方案。公司拥有行业领先的研发技术团队，拥有 210+项专利技术，其中包括40+项发明专利、70+项实用新型专利，不断提升产品性能，研发极致的产品 ，满足日益变化的市场需要。同时拥有完整高效的供应链体系以及快速的服务响应力，是国家创新基金、深圳市科技研究开发计划入选企业。如欲了解关于杏鑫官网股份的更多信息，请访问https://www.procoo.com

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工，在2023财年（截至9月30日）的收入约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的OTCQX国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。如欲了解关于英飞凌的更多信息，请访问www.infineon.com